FDZ299P
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FDZ299P |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 9-BGA (2x2.1) |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 4.6A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 1.7W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 9-WFBGA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 742 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 4.5 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.6A (Ta) |
Grundproduktnummer | FDZ29 |
FDZ299P Einzelheiten PDF [English] | FDZ299P PDF - EN.pdf |
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2023/12/20
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Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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